时节将近清明，牛毛般的细雨落在脸上，微微有一丝凉意，却无法打湿衣服。
曲军轻轻一蹬，山地车丝滑的驶上斜坡，杨涛和另外几个同学在后面使劲追，气喘吁吁的勉强跟着。
长城作为古代的军事防御设施，都修建在地势险要的崇山峻岭上，从昌平往北一路慢上坡，偶尔还掺杂几个陡坡，后世里很少有人骑自行车去长城，只有八十年代的大学生又穷又不怕累，才会选择这种春游方式。
无线电子系、物理系、工物系、计算机系、材料系……关系比较近的几个系的大一新生来了一大半，这几个系经常在一起上大课，慢慢的互相都认识了，为了凑够人手一辆的自行车，把高年级的老生借了个遍，好在清华园的自行车普及率很高，最后总算凑齐了。
班长周翔吨位比较大，一路上坡更加辛苦，曲军停下喝水的工夫，吭哧吭哧从后面追了上来。
“老军，休息一会儿，等等女生。”
大学生不会像小学生一样排队出发，都是三三两两的自由组合，男生和男生在一起，女生和女生在一起，若即若离，又互相照应。
曲军应了一声，干脆下车推着走，时间不长，一群群男男女女的同学从他身旁超过，突然有一辆银灰色坤车插进曲军和杨涛之间，骑车的女生骗腿下车，还没看清模样，先听到一串清脆的笑声。
“曲军同学你好，我是《新清华》的校报记者糖糖，能对您做个采访吗？”
糖糖能被选为《新清华》的校报记者，绝对是清华园难得一见的大美女，生得青春靓丽，打扮时髦前卫，却有一个非常土气的名字——唐艳花，除非迫不得已，从来不提本名。
“可以，咱们边走边聊，不用搞得那么正式。”
曲军欣然同意。
成名有成名的烦恼，各种媒体采访不胜其烦，偏偏《新清华》是清华园自家的校报推脱不得，在春游路上顺便搞个采访，总比去电子所骚扰科研工作强得多。
“您在美国着名学术期刊《物理评论快报》上发表的论文，在清华园引起巨大反响，凡是理工类专业班级上课，老师都会反复提起这篇论文，但是很多大一新生对论文的分类并不了解，您能简单介绍一下吗？”
糖糖是一个很老练的校园记者，很专业的带着一个小收录机，不需要纸笔记录。
她的第一个问题也很有技巧，难度不大又适合被拜访者装蜜蜂，可以迅速拉近距离，展开下一步的深入交流。
“我们国内的论文分类和欧美一样，主要分为三种，第一种是Letters快报，第二种是Article论文，第三种是Review综述，Review在严格意义上不算原创性论文，包括PRL在内的很多期刊都是拒收的……”
都是最基础的常识，曲军随口而答，周围的男女同学却听得很认真，今天来春游的同学大都是大一新生，几乎都没有发过论文，听这些基础常识就觉得很新鲜，很神秘。
女生都喜欢和闺蜜一起行动，糖糖身边就跟着两个闺蜜，三个女生三辆自行车，把杨涛、周翔都挤到了一边。
其中一个短发闺蜜扑扇着大眼睛问道：“曲军你发的就是一篇Article吧？是不是比Letters更厉害？”
“Article一般比Letters更严谨，篇幅也更长，Letters注重开创性和时效性，有些细节可以模湖处理，总的来说还是Article的分量更重，不过PRL就是一家快报类的物理期刊，我发的论文是一篇Letters……”
这丫头大概是想捧跟，可惜连PRL期刊的性质都没搞清，马屁拍到马脚上。
能够成为糖糖的闺蜜，她的颜值也在7.5分以上，在美女贫瘠的清华园可以当系花了，但是脑子好像不太够用。
“我们系里的几位老师都对您的论文评价很高，据说有非常巨大的应用价值，但我还是不太理解，您能详细解释一下吗？”
糖糖问出的第二个问题，还是充满善意，方便曲军随便吹牛皮。
那就放飞自我的吹一把。
巨磁阻效应能够获得诺奖，三分是因为学术价值，七分是因为它巨大的应用价值，除了GMR磁头，在其他方面还有很多应用，随便列举几项，就把一帮子男女同学听得两眼发直。
“曲军同学你刚才说到磁强计、磁开关、自控元件和计算机内存，请问采用巨磁阻效应制造计算机内存，主要有什么优点，目前还有什么技术障碍？”
嗯？这个问题有点小内行啊！
曲军不由得高看了糖糖一眼，能问出巨磁阻内存有什么技术障碍，说明她真的考虑过这个问题。
“现有的GMR元件还无法控制自旋电子自由层磁矩的翻转，也就无法有效实现信息的写入和读出，另外元器件的制作非常复杂，必须设计新的制备工艺，最少做出三个电极……”
计算机内存一般分为，采用巨磁阻效应制造的内存在后世被命名为MRAM，这玩意儿的功能极其强大，已经不用再分出一个只读存储器（ROM）了，存储能力比常见的提高了上千倍，而且存算一体，速度飞快，开机速度绝对打败全国99%的电脑……
千好万好，只有一条不好，这玩意儿的生产成本太高了，一般的计算机根本用不起，光是一个超低温的生产环境就把造价翻了一个数量级。
因为价格太贵，所以没有市场，反过来又制约了技术的发展，MRAM远不像GMR磁头那样人尽皆知。
但是在某些特定领域，比如航空航天和国防军工，根本不在乎多出来的这点成本，MRAM内存其实已经被广泛使用。
从长远看，采用巨磁阻效应制造MRAM内存也是内存行业的发展大方向，是制造下一代量子计算机的第一步，绝对是一项很重要的研究方向。
再从技术上分析，MRAM内存要采用隧穿巨磁阻的技术，磁阻变化率比超大巨磁阻效应更高，和过渡金属的研究相结合，发展出异常巨磁阻效应EMR技术。
CMR的“C”代表colossal，在英语中就是大到极致的存在，发现EMR效应后，磁阻变化率竟然比CMR又大了成千上万倍，科学家没有办法，只好把它命名为“异常”磁阻效应（EMR)。
对过渡金属和巨磁阻效应的研究，又能导向石墨烯的发明。
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